更新時(shí)間：2025-07-23
GDYHM-V激光鹽密灰密測(cè)試儀采用新型檢測(cè)技術(shù)將灰密測(cè)試與鹽密測(cè)試合二為一，可同時(shí)檢測(cè)出被測(cè)絕緣子的灰密度和鹽密度，簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程，非常適合在巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。
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GDYHM-V激光鹽密灰密測(cè)試儀
在電網(wǎng)系統(tǒng)中，電壓等級(jí)高、輸送容量大的變電站和輸電線路起著十分重要的作用。而在輸電線路經(jīng)過(guò)的地區(qū)，工業(yè)污穢、海風(fēng)的鹽霧、空氣中的塵埃等污穢物逐漸積累并附著在絕緣子表面，極易形成污穢層，由于污穢絕緣子的絕緣強(qiáng)度大大降低，引起絕緣子在正常運(yùn)行電壓下閃絡(luò)，造成大面積停電，形成污閃事故。
污閃事故不同于一般單純的設(shè)備事故，它涉及面廣、影響設(shè)備多且分散。現(xiàn)階段我國(guó)電力系統(tǒng)的網(wǎng)架尚比較薄弱，多次污閃跳閘即有可能帶來(lái)整個(gè)系統(tǒng)的崩潰，造成大面積、多設(shè)備的連鎖事故。
因此，在設(shè)計(jì)建造電網(wǎng)系統(tǒng)前，應(yīng)首先測(cè)定外絕緣子表面的污穢程度以確定所在區(qū)域的污穢等級(jí)，據(jù)此選擇合適的外絕緣爬電比距；對(duì)于已經(jīng)投入使用的高壓輸電線路、發(fā)電廠、變電站等場(chǎng)所的外絕緣設(shè)備，應(yīng)當(dāng)保證每年至少檢測(cè)一次其表面污穢程度，以衡量是否可能引起污閃事故，作為判斷外絕緣設(shè)備是否需要清洗或更換的依據(jù)。通過(guò)以上途徑，使污閃事故率降低到可接受的程度，最大限度降低污閃事故對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的影響。
由于絕緣子表面的污穢包含溶性成分和不溶性成分，其中灰密度（NSDD）是指絕緣子表面層污穢中的不可溶成分與表面積的比值，不同于污穢中的可溶性成分（用等值鹽密度ESDD衡量），由于污穢度中鹽密和灰密之間的關(guān)系在5—10倍分散，相同等值鹽密不同灰密的絕緣子可能處于不同污穢等級(jí)，故污穢等級(jí)的確認(rèn)需要等值鹽密度和灰密度組合才可確定，只有進(jìn)行灰密測(cè)量才能正確地確定污穢等級(jí)。
我公司根據(jù)電力行業(yè)防治污閃的要求，結(jié)合電網(wǎng)污穢劃分等級(jí)新標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)研發(fā)了GDYHM-V激光鹽密灰密測(cè)試儀，操作簡(jiǎn)單、功能齊全，得到了行業(yè)客戶的一致認(rèn)可。
激光鹽密灰密測(cè)試儀采用新型檢測(cè)技術(shù)將灰密測(cè)試與鹽密測(cè)試合二為一，可同時(shí)檢測(cè)出被測(cè)絕緣子的灰密度和鹽密度，簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程，非常適合在巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。
XXX 激光鹽密灰密測(cè)試儀依據(jù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)如下表所示：
標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) | |
1 | Q/GDW 1152.1-2014 《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn) 第1部分 交流系統(tǒng)》 |
2 | GB/T26218.2-2010《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定 第2部分：交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子》 |
3 | GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗(yàn)》 |
4 | GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)》 |
Q/GDW1152.1-2014《電力系統(tǒng)污區(qū)分級(jí)與外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》中規(guī)定污穢等級(jí)與等值鹽密的關(guān)系如下表：
污穢等級(jí) | a | b | c | d | e |
等值鹽密（mg/cm2） | 0.025 | 0.025-0.05 | 0.05-0.1 | 0.1-0.25 | ＞0.25 |
灰密度（NSDD）: 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積，一般表示為mg/ cm2。
附鹽密度（SDD）: 人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上的氯化鈉總量除以表面積，
一般表示為mg/ cm2。
等值附鹽密度（ESDD）: 絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，一般表示為mg/ cm2。
爬電距離 : 在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
統(tǒng)一爬電距離（USCD）: 絕緣子的爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與 的積，一般表示為mm/kV。
污穢層 : 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) : 將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS（ESDD/NSDD的最大值）的分級(jí)。
? 內(nèi)置測(cè)試專(zhuān)用測(cè)試軟件，鹽密灰密一體化完成測(cè)試；
? 嵌入式操作，直觀快捷的人機(jī)交互界面，參數(shù)可靈活設(shè)置；
? 全自動(dòng)一體化燒杯式測(cè)試方案，按要求配置好溶液后，采用人工攪拌的方式，并插入專(zhuān)用電極采集信號(hào)；
? 測(cè)試完成后，請(qǐng)分別將2支電極用蒸餾水反復(fù)清洗3次，并擦干保存；
? 便攜式設(shè)計(jì)，便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試或?qū)嶒?yàn)室使用；
? 采用激光變頻透射原理，實(shí)現(xiàn)灰密直接測(cè)試，無(wú)需過(guò)濾、烘干稱(chēng)量；
? 智能化數(shù)據(jù)分析，測(cè)試結(jié)果多種輸出模式，包括直讀測(cè)試結(jié)果，打印報(bào)表，通過(guò)USB接口直接導(dǎo)出測(cè)試結(jié)果到U盤(pán)；
測(cè)量范圍 | 鹽 密 | 0.01~5.00 mg/cm2 |
灰 密 | 0.01~5.00 mg/cm2 | |
溫 度 | 0~100 ℃ | |
電導(dǎo)率 | 0~100000 us/cm | |
測(cè)量精度 | 鹽 密 | 分辨率0.01位，滿量程精度優(yōu)于±2％ |
灰 密 | 分辨率0.01位，滿量程精度優(yōu)于±2％ | |
溫 度 | 分辨率0.1位，精度優(yōu)于±0.5℃ | |
電導(dǎo)率 | 分辨率為所用電極量程1/1000，滿量程精度優(yōu)于±1％ | |
信息輸出方式 | 觸控屏 | 5.6寸真彩屏，實(shí)現(xiàn)良好的人機(jī)信息交互 |
打印機(jī) | 微型打印機(jī)直接打印測(cè)量結(jié)果 | |
U S B | 以U盤(pán)模式導(dǎo)出測(cè)量數(shù)據(jù) | |
使用條件 | 電 源 | DC：12.2V / 22Ah鋰電池 |
環(huán)境溫度 | 0~+50 ℃ | |
相對(duì)濕度 | ≤85％ RH | |
存儲(chǔ)條件 | 環(huán)境溫度 | -10~+55 ℃ |
相對(duì)濕度 | ≤85％ RH | |
外觀參數(shù) | 體 積 | 420mm×340mm×180mm |
重 量 | 約5.5 kg |
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